一项新的Cedars-Sinai研究揭示了经常报告记忆力问题的癫痫患者的记忆力与异常脑活动之间的联系。数据表明，这些患者中特定脑细胞产生的异常电脉冲与一种称为暂时性认知障碍的暂时性记忆破坏有关。

了解此过程可能会导致治疗癫痫患者的进展，并且有助于了解记忆的工作原理。

癫痫病是以神经活动异常为特征的神经系统疾病，可引起癫痫发作。根据联邦疾病控制与预防中心的数据，它影响了约340万美国人，即人口的1%。

Cedars-Sinai神经外科副教授Ueli Rutishauser博士说：“据我们所知，我们的研究是第一个研究癫痫一过性认知障碍的实际机制的人。”他是该研究的高级作者，在线发表在《JNeurosci》杂志上。

为了进行他们的研究，Rutishauser和他的团队研究了海马的电活动，海马是已知对记忆重要的大脑区域。作为治疗的一部分，该团队使用植入11名成人癫痫患者大脑中的电极，在识别记忆任务期间记录了海马中单个细胞的活动。

首先为患者显示100张新图像。之后，将这些图像的50个子集重复第二次，并与其他新图像随机混合。在每张图像之后，询问患者是否曾经看过图像，以及他们对答案是否有把握。

结果显示，大脑中异常的电脉冲(称为发作性癫痫样放电(IED))暂时改变了海马中单个细胞的放电。细胞活性的这种变化反过来破坏了患者回忆他们以前是否看过呈现图像的能力。癫痫患者通常在发作之间经历IED，并报告短暂的认知障碍。然而，迄今为止，仍然不清楚为何IED会造成这种损害。

Rutishauser说，在任务期间，记忆破坏的程度与IED的确切发生时间有关，其中最严重的损害是由IED引起的，这种现象是在患者试图回忆图像后两秒钟内出现的。他补充说，这种效果是特定于召回的，并且IED的存在不会破坏新记忆的编码。

这项研究的第一作者，Cedars-Sinai神经病学助理教授Chrystal Reed，医学博士说，这一发现很重要，因为了解记忆障碍的发生方式和原因可以帮助开发治疗方案，以改善癫痫患者的生活质量。